Công nghệ khắc khô là một trong những quy trình then chốt. Khí khắc khô là vật liệu chủ chốt trong sản xuất chất bán dẫn và là nguồn khí quan trọng cho quá trình khắc plasma. Hiệu suất của nó ảnh hưởng trực tiếp đến chất lượng và hiệu suất của sản phẩm cuối cùng. Bài viết này chủ yếu chia sẻ về các loại khí khắc thường được sử dụng trong quy trình khắc khô.
Các loại khí gốc flo: chẳng hạn nhưcacbon tetraflorua (CF4), hexafluoroethane (C2F6), trifluoromethane (CHF3) và perfluoropropane (C3F8). Các loại khí này có thể tạo ra fluoride dễ bay hơi hiệu quả khi khắc silicon và các hợp chất silicon, nhờ đó loại bỏ vật liệu.
Các loại khí gốc clo: chẳng hạn như clo (Cl2),boron triclorua (BCl3)và silic tetraclorua (SiCl4). Các khí gốc clo có thể cung cấp ion clorua trong quá trình khắc, giúp cải thiện tốc độ và độ chọn lọc của quá trình khắc.
Khí gốc brom: chẳng hạn như brom (Br2) và brom iodua (IBr). Khí gốc brom có thể mang lại hiệu suất khắc tốt hơn trong một số quy trình khắc, đặc biệt là khi khắc vật liệu cứng như silicon carbide.
Khí gốc nitơ và khí gốc oxy: chẳng hạn như nitơ triflorua (NF3) và oxy (O2). Các khí này thường được sử dụng để điều chỉnh các điều kiện phản ứng trong quá trình khắc nhằm cải thiện tính chọn lọc và định hướng của quá trình khắc.
Các loại khí này đạt được độ khắc chính xác trên bề mặt vật liệu thông qua sự kết hợp giữa quá trình phun vật lý và phản ứng hóa học trong quá trình khắc plasma. Việc lựa chọn khí khắc phụ thuộc vào loại vật liệu cần khắc, yêu cầu về độ chọn lọc của quá trình khắc và tốc độ khắc mong muốn.
Thời gian đăng: 08-02-2025
