Công nghệ khắc khô là một trong những quy trình then chốt. Khí khắc khô là vật liệu quan trọng trong sản xuất chất bán dẫn và là nguồn khí quan trọng cho quá trình khắc plasma. Hiệu suất của nó ảnh hưởng trực tiếp đến chất lượng và hiệu năng của sản phẩm cuối cùng. Bài viết này chủ yếu chia sẻ những loại khí khắc thường được sử dụng trong quy trình khắc khô.
Các khí gốc flo: chẳng hạn nhưcacbon tetraflorua (CF4), hexafluoroethane (C2F6), trifluoromethane (CHF3) và perfluoropropane (C3F8). Các khí này có thể tạo ra các florua dễ bay hơi một cách hiệu quả khi khắc silicon và các hợp chất silicon, nhờ đó loại bỏ vật liệu.
Các loại khí gốc clo: chẳng hạn như clo (Cl2),boron trichloride (BCl3)và silicon tetrachloride (SiCl4). Các khí chứa clo có thể cung cấp ion clorua trong quá trình khắc, giúp cải thiện tốc độ và độ chọn lọc của quá trình khắc.
Các khí gốc brom: chẳng hạn như brom (Br2) và brom iodua (IBr). Các khí gốc brom có thể mang lại hiệu suất khắc tốt hơn trong một số quy trình khắc nhất định, đặc biệt là khi khắc các vật liệu cứng như cacbua silic.
Các loại khí gốc nitơ và gốc oxy: chẳng hạn như nitơ trifluorua (NF3) và oxy (O2). Các loại khí này thường được sử dụng để điều chỉnh các điều kiện phản ứng trong quá trình khắc nhằm cải thiện tính chọn lọc và hướng của quá trình khắc.
Các loại khí này giúp khắc chính xác bề mặt vật liệu thông qua sự kết hợp giữa quá trình bắn phá vật lý và phản ứng hóa học trong quá trình khắc plasma. Việc lựa chọn khí khắc phụ thuộc vào loại vật liệu cần khắc, yêu cầu về độ chọn lọc của quá trình khắc và tốc độ khắc mong muốn.
Thời gian đăng bài: 08/02/2025
